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派瑞林鍍膜過程介紹

2022-08-04 鄭女士

詳細信息


Parylene采用了一種獨特的化學氣相沉積工藝(CVD)。CVD工藝最早應用于半導體工業的外延生長,整個過程是氣態反應,又在真空條件下進行,因而可以獲得非常均勻的涂層,達到其它方法難以實現的同形性。



派瑞林沉積過程過程主要有三步:



1. 真空130℃條件下固態派瑞林材料升華成氣態。



2. 真空680℃條件下,將氣態雙份子裂解成活性單體。



3. 真空常溫下,氣態單體在基體上生長聚合。




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